CY62147EV30LL-45ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応

CY62147EV30LL-45ZSXIT

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パッケージ
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CY62147EV30LL-45ZSXIT
CY62147EV30LL-45ZSXIT
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62147EV30LL-45ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62147EV30LL-45ZSXITはMoBLファミリの4-Mbit（256K × 16）CMOS SRAMで、電池駆動の組み込み機器向けです。2.2 V～3.6 V、−40°C～+85°Cで動作し、45 nsアクセス。VIHしきい値はVCC範囲により1.8 V/2.2 V。アクティブ電流は1 MHzで3.5 mA typ（6 mA max）、fmaxで15 mA typ（20 mA max）。自動CEパワーダウンでスタンバイ2.5 µA typ（7 µA max）。Pb-free 44ピンTSOP II。

特長

  • 256K×16 SRAM構成
  • 45 ns読出し/書込み周期
  • 2.2 V～3.6 V単一電源
  • 1 MHz時3.5 mA(typ)
  • 待機2.5 µA(typ)
  • データ保持VCC 1.5 V
  • データ保持最大8.8 µA
  • 非選択時自動パワーダウン
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • OE制御の3ステート出力
  • 入出力リーク±1 µA
  • >2001 V ESD(MIL-STD-883)

利点

  • 16ビットSRAMでバッファ最適
  • 45 nsでCPU高速アクセス
  • 2.2～3.6 Vで3 V系に適合
  • 低動作電流で消費電力低減
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 1.5 Vバックアップで保持
  • 低ICCDRで保持電源が容易
  • アイドル時自動省電力
  • バイト書込みでバス負荷低減
  • 3ステートでバス共有が容易
  • 低リークで低消費設計向き
  • 高ESDで堅牢性が向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ