CY62147EV18LL-55BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62147EV18LL-55BVXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62147EV18LL-55BVXI
CY62147EV18LL-55BVXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～2.25 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62147EV18LL-55BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62147EV18LL-55BVXIは低消費電力の携帯機器向け4 Mbit（256 K×16）CMOS SRAMです。動作電圧1.65 V～2.25 V、動作温度-40°C～+85°Cで、アクセス時間55 ns。VCC=2.25 V時、fmaxでICC 15 mA typ（20 mA max）、1 MHz時は2 mA typ。非選択時は自動パワーダウンでスタンバイ1 µA typ（7 µA max）。BLE/BHEのバイトイネーブルでx8アクセス対応。Pbフリー48ボールVFBGA。

特長

  • 4 Mbit SRAM、256K×16
  • 読出しサイクル55 ns(tRC)
  • 書込みサイクル45 ns(tWC)
  • 単一電源1.65 V～2.25 V
  • 1 MHz時アクティブ2 mA典型
  • スタンバイ電流1 µA典型
  • 非選択時オートパワーダウン
  • VCC≥1.0 Vでデータ保持
  • 保持電流0.5 µA典型
  • 非選択時出力はHigh-Z
  • バイトイネーブルBLE/BHE
  • 入出力リーク±1 µA最大

利点

  • 16ビットバスに適合
  • 55 nsで高速CPUアクセス
  • 45 ns書込みで待ち削減
  • 1.8 Vレール直結で動作
  • 低アクティブ電力で携帯向け
  • µAスタンバイで電池長持ち
  • アイドル時に自動で省電力
  • バックアップ電源でデータ保持
  • µA保持でコイン電池対応
  • High-Zでバス競合を回避
  • バイト書込みで負荷を低減
  • 低リークで電力予算に余裕

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ