CY62147EV18LL-55BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62147EV18LL-55BVXI

データシート
パッケージ

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CY62147EV18LL-55BVXI
CY62147EV18LL-55BVXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～2.25 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62147EV18LL-55BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
CY62147EV18LL-55BVXI is a 4-Mbit (256 K × 16) CMOS static RAM for low-power portable systems. It operates from 1.65 V to 2.25 V over -40°C to +85°C and provides 55 ns access. At VCC = 2.25 V, ICC is 15 mA typ (20 mA max) at fmax and 2 mA typ at 1 MHz. Automatic power-down cuts standby to 1 µA typ (7 µA max) when deselected. Byte enables (BLE/BHE) support x8 access. It is offered in a Pb-free 48-ball VFBGA.

特長

  • 4-Mbit SRAM organized 256K × 16
  • 55 ns read cycle time (tRC)
  • 45 ns write cycle time (tWC)
  • 1.65 V to 2.25 V single supply
  • 2 mA active current at 1 MHz typ
  • 1 µA standby current (typ)
  • Auto power-down when deselected
  • Data retention at VCC ≥ 1.0 V
  • 0.5 µA data retention current typ
  • High-Z outputs when deselected
  • Byte enables: BLE and BHE
  • ±1 µA input/output leakage max

利点

  • Fits 16-bit buses in SRAM
  • 55 ns supports fast CPU access
  • 45 ns writes reduce wait states
  • Runs direct from 1.8 V rails
  • Low active power for portable use
  • µA standby extends battery life
  • Idle bus cuts power automatically
  • Keeps data with backup supply
  • µA retention enables coin cells
  • High-Z avoids bus contention
  • Byte write lowers write bandwidth
  • Low leakage improves power budget

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ