CY62146ESL-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応

CY62146ESL-45ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62146ESL-45ZSXI
CY62146ESL-45ZSXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62146ESL-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62146ESL-45ZSXIは低消費電力の組込みストレージ向け4 Mbit（256K×16）CMOS非同期SRAMです。45 nsアクセスで、2.2 V～3.6 Vまたは4.5 V～5.5 V、-40°C～85°Cで動作します。CEがHIGH時の自動パワーダウンでスタンバイ電流は最大7 µA（標準2.5 µA）。動作電流は1 MHzで標準3.5 mAです。44ピンTSOP-IIで、BLE/BHEによりバイト書込みに対応します。

特長

  • 256K×16 CMOS SRAM構成
  • 読出しサイクルtRC 45 ns
  • OE→データ有効tDOE 22 ns
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • スタンバイ2.5 µA典型
  • スタンバイ7 µA最大
  • 1 MHzでアクティブ3.5 mA
  • CE HIGHで自動パワーダウン
  • CE/OE/BHE/BLEで3ステート
  • 入出力リーク±1 µA
  • 1 MHzでCIN/COUT最大10 pF
  • ESD>2001 V(MIL-STD-883)

利点

  • 45 nsで高速バッファに対応
  • 22 nsで読出しレイテンシ低減
  • バイト有効で書込み帯域削減
  • 2.5 µAで電池寿命を延長
  • 最大7 µAで電源設計が容易
  • 3.5 mAで動作エネルギ低減
  • 自動パワーダウンで待機電力削減
  • 3ステートでバス共有が容易
  • 低リークでスリープ電流低減
  • 低容量でタイミング余裕増
  • 高ESDで取扱い不良を低減
  • 16ビットでスループット向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }