CY62137EV30LL-45ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62137EV30LL-45ZSXIT

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62137EV30LL-45ZSXIT
CY62137EV30LL-45ZSXIT
個.
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製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62137EV30LL-45ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62137EV30LL-45ZSXITは2 Mbit（128 K×16）のCMOS SRAMで、Pbフリー44ピンTSOP IIに搭載し、45 nsアクセスを規定。2.2 V～3.6 V、-40°C～+85°Cで動作。動作電流は1 MHzで標準2 mA。自動CEパワーダウンにより3.6 Vでスタンバイ標準1 µA、最大7 µA。さらに1 VデータリテンションでICCDRは標準0.8 µA、最大3 µAでバックアップ電源用途に対応。

特長

  • 2 Mbit SRAM、128K×16
  • 45 ns 読み/書きサイクル
  • VCC 2.2 V～3.6 V動作
  • 待機1 µA typ、7 µA max
  • ICC 2.0 mA typ@1 MHz
  • 自動CEパワーダウン
  • VCC=1 Vでデータ保持
  • ICCDR 0.8 µA typ、3 µA max
  • OE/CE/BLE/BHEで3状態
  • BLE/BHEバイト書込みイネーブル
  • tDOE 22 ns：OE→データ有効
  • 入出力リーク±1 µA

利点

  • 16ビットMCU/FPGAバスに適合
  • 45 nsでウェイト削減
  • 2.2～3.6 Vで3 V電源に適合
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 低ICCで動作電力を削減
  • 自動停止で待機電力を節減
  • 1 V保持でバックアップ対応
  • 低ICCDRで長時間保持
  • 3状態I/Oでバス共有が容易
  • バイトイネーブルで書込電力削減
  • 高速tDOEで読出し遅延低減
  • 低リークで負荷を低減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ