CY62136FV30LL-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62136FV30LL-45ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62136FV30LL-45ZSXI
CY62136FV30LL-45ZSXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62136FV30LL-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62136FV30LL-45ZSXIは2-Mbit（128 K × 16）のCMOS非同期SRAMで、45 nsアクセスにより電池駆動機器や組み込みメモリ拡張に適します。2.2 V～3.6 Vで動作し、Industrial/Automotive-Aの−40°C～+85°Cに対応。1 MHzで1.6 mAの代表動作電流、1 µA代表スタンバイと自動パワーダウンを備えます。Pbフリー44ピンTSOP IIで提供されます。

特長

  • 2 Mbit SRAM、128K×16
  • 45 nsの読書きサイクル
  • OEアクセス最短22 ns
  • 電源電圧2.2 V～3.6 V
  • ICC標準1.6 mA@1 MHz
  • ICC最大18 mA@fmax
  • スタンバイ電流標準1 µA
  • CE HIGHで自動パワーダウン
  • バイト書込みBLE/BHE
  • 無効時出力はハイインピ
  • 入出力リーク±1 µA
  • CIN/COUT最大10 pF

利点

  • 16ビットSRAM用途に適合
  • 高速読書きで遅延を低減
  • OE高速で非同期読出し向上
  • 2.2～3.6 V電源で動作
  • 低アクティブ電流で省電力
  • 高周波アクセスに対応
  • スタンバイで電池寿命延長
  • アイドル時の消費電力低減
  • 8ビット更新で転送量削減
  • バス共有を簡素化
  • 低リークでデータ保持向上
  • 低容量でタイミング容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ