CY62136FV30LL-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62136FV30LL-45ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62136FV30LL-45ZSXI
CY62136FV30LL-45ZSXI
個.
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62136FV30LL-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
PH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
PH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY62136FV30LL-45ZSXI is a 2-Mbit (128 K × 16) CMOS asynchronous SRAM with 45 ns access for battery-powered and embedded memory expansion. It operates from 2.2 V to 3.6 V and supports Industrial/Automotive-A temperature range of −40°C to +85°C. Ultra-low power includes 1.6 mA typical active current at 1 MHz and 1 µA typical standby with automatic power-down. It is offered in a Pb-free 44-pin TSOP II package.

特長

  • 2-Mbit SRAM, 128K × 16
  • 45 ns read/write cycle time
  • OE access time down to 22 ns
  • Supply voltage 2.2 V to 3.6 V
  • ICC typ 1.6 mA at 1 MHz
  • ICC max 18 mA at fmax
  • Standby current typ 1 µA
  • Auto power-down with CE HIGH
  • Byte write enables BLE/BHE
  • Outputs go high-Z when disabled
  • Input/output leakage ±1 µA
  • CIN/COUT max 10 pF

利点

  • Fits 16-bit data SRAM needs
  • Fast reads/writes reduce latency
  • Faster OE speeds async reads
  • Runs from 2.2–3.6 V rails
  • Low active current saves energy
  • Handles high-frequency accesses
  • Extends battery life in standby
  • Cuts idle power when inactive
  • Updates 8-bit bytes, less traffic
  • Simplifies bus sharing
  • Low leakage improves data hold
  • Low pin capacitance eases timing

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ