CY62136ESL-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62136ESL-45ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62136ESL-45ZSXI
CY62136ESL-45ZSXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62136ESL-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62136ESL-45ZSXIは2 Mbit（128 K×16）のCMOS非同期SRAMで、45 nsアクセスによりプロセッサ接続に適します。電源は2.2 V～3.6 Vまたは4.5 V～5.5 V、動作温度は-40°C～85°Cです。動作電流はfmaxで最大20 mA（1 MHzで標準2.5 mA）、自動CEパワーダウンでスタンバイ最大7 µAを実現。BLE/BHEのバイトイネーブルで8ビット読書き対応。Pb-freeの44ピンTSOP IIです。

特長

  • 2 Mbit SRAM、128K×16
  • 45 nsリード/ライト周期
  • VCC:2.2–3.6/4.5–5.5 V
  • スタンバイ1 µA typ、7 µA max
  • 動作2 mA typ@1 MHz
  • CE自動パワーダウン1 µA
  • BLE/BHEでバイト書込み
  • CE/OE/WEで3ステート出力
  • VCC=1.0 Vでデータ保持
  • ICCDR 0.8 µA typ、3 µA max
  • I/Oリーク±1 µA(IIX/IOZ)
  • CIN/COUT最大10 pF

利点

  • 128K×16で並列バス簡素化
  • 45 nsで高速CPUアクセス対応
  • 2電源オプションで流用容易
  • 7 µA maxで待機電池寿命延長
  • 2 mA@1 MHzで動作電力低減
  • 自動PDでアイドル電力削減
  • バイト書込みで帯域節約
  • 3ステートでバス共有容易
  • 1.0 V保持でデータ保護
  • 低ICCDRでバックアップ省電力
  • 低リークでスリープ電力改善
  • 10 pF I/OでSI設計が容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ