CY62128ELL-55SXET
Active and preferred
RoHS対応

CY62128ELL-55SXET

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パッケージ
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CY62128ELL-55SXET
CY62128ELL-55SXET
個.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 8
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
CY62128ELL-55SXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62128ELL-55SXETは1-Mbit（128 K × 8）のCMOSスタティックRAMで、4.5 V～5.5 V動作、55 nsアクセス（Automotive-E）です。–40°C～+125°Cで動作し、TTL入力レベル（VIH最小2.2 V）を使用します。CE1/CE2/OE制御でメモリ拡張が容易です。自動CEパワーダウンでISB2 typ 1 µA（max 30 µA）。アクティブICCは1 MHzでtyp 1.3 mA、VCC(max)かつfmaxでtyp 11 mA。

特長

  • 128K×8 SRAM構成
  • 読出しサイクルtRC 45 ns
  • VCC動作4.5 V～5.5 V
  • 1 MHzでICC典型1.3 mA
  • スタンバイ典型1 µA
  • CE自動パワーダウン(ISB2)
  • CE1/CE2とOE制御
  • 非選択時出力は高インピ
  • TTL互換入力レベル
  • VIH 2.2 V,VIL 0.8 V
  • 入力容量最大10 pF
  • OE→データ有効tDOE 22 ns

利点

  • 45 nsでアクセス遅延を低減
  • 5 V系にそのまま適合
  • 典型1.3 mAで動作電力低減
  • 1 µA待機で電池寿命延長
  • 自動省電力で待機損失低減
  • CE1/CE2で拡張設計が容易
  • 高インピでバス共有が容易
  • TTLでMCU/CPU接続が簡単
  • 閾値規定で誤動作リスク低減
  • 低容量でタイミング余裕
  • 22 nsでOE読出し応答向上
  • 低待機で発熱を抑制

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ