CY62126EV30LL-55BVXE
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62126EV30LL-55BVXE

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62126EV30LL-55BVXE
CY62126EV30LL-55BVXE
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64K x 16
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
CY62126EV30LL-55BVXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62126EV30LL-55BVXEは1 Mbit（64 K×16）のCMOS非同期SRAMで、電池駆動/組み込み機器向けです。Automotive-Eグレードで2.2 V～3.6 V、-40°C～125°C動作、55 nsスピードを規定。BLE/BHEによるバイト書き込みと未選択時のI/Oハイインピーダンスに対応し、CE自動パワーダウンでスタンバイ電流は標準1 µA（最大30 µA）、1 MHz時の動作電流は標準1.3 mAです。

特長

  • 1 Mbit SRAM、64K×16構成
  • 45 nsの読出し/書込み周期
  • 2.2 V～3.6 V単一電源VCC
  • 1 MHzで動作電流1.3 mA
  • スタンバイ電流 最大4 µA
  • アドレス静止で自動省電力
  • VCC 1.5 Vまでデータ保持
  • データ保持電流 最大3 µA
  • BLE/BHEでバイト書込み対応
  • CE/OE/BHE/BLEで3ステート

利点

  • 16ビットでMCUアクセス削減
  • 45 nsで高速SRAM接続に対応
  • 2.2–3.6 Vで3 V系に適合
  • 低動作電流で駆動時間延長
  • µA級待機でスリープ消費低減
  • 自動省電力でアイドル損失低減
  • 1.5 Vで深いスリープでも保持
  • 低ICCDRでバックアップ負荷低減
  • バイト書込みで書込み電力削減
  • 3ステートでバス共有・拡張容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ