CY62126EV30LL-55BVXE
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62126EV30LL-55BVXE

データシート
パッケージ

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CY62126EV30LL-55BVXE
CY62126EV30LL-55BVXE
データシート


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    1 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64K x 16
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    55 ns

推奨
OPN
CY62126EV30LL-55BVXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
CY62126EV30LL-55BVXE is a 1-Mbit (64 K × 16) CMOS asynchronous SRAM for battery-powered and embedded systems. Automotive-E grade operation from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to 125°C is specified with 55 ns speed. It supports byte writes via BLE/BHE, high-Z I/Os when deselected, and automatic CE power-down to cut standby to 1 µA typical (30 µA max), with 1.3 mA typical active current at 1 MHz.

特長

  • 1-Mbit SRAM organized as 64K × 16
  • 45 ns read/write cycle time
  • 2.2 V to 3.6 V single-supply VCC
  • 1.3 mA typ active at 1 MHz
  • 4 µA max standby current
  • Auto power-down when addr static
  • Data retention at VCC down to 1.5 V
  • 3 µA max data-retention current
  • Byte write via BLE/BHE controls
  • Tri-state I/O via CE/OE/BHE/BLE

利点

  • 16-bit bus cuts MCU accesses
  • 45 ns suits fast SRAM interfaces
  • 2.2–3.6 V fits 3 V systems
  • Low active current extends runtime
  • µA standby minimizes sleep drain
  • Auto power-down saves idle power
  • 1.5 V retain data in deep sleep
  • Low ICCDR reduces backup load
  • Byte writes reduce write energy
  • Tri-state eases bus sharing/expand

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ