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CY2309NZSXI-1H
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

CY2309NZSXI-1H

生産終了
データシート
パッケージ

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CY2309NZSXI-1H
CY2309NZSXI-1H
データシート

製品仕様情報

  • I/O電圧 ((V))
    3.3
  • NPSGに発行
    N
  • PSGに発行
    Y
  • オンチップクロック生成 (PLL)
    0
  • カテゴリー
    Non Zero Delay Buffers
  • コア/IO動作電圧 ((V))
    3.3
  • スペクトラム拡散
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 入力タイプ
    LVCMOS/LVTTL
  • 入力周波数 範囲
    0 MHz～133 MHz
  • 出力信号タイプ
    LVCMOS
  • 出力
    9
  • 出力周波数 範囲
    0 MHz～133 MHz
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    3 V～3.6 V
  • 機能
    See datasheet
  • 特長
    3.3V Non Zero Delay Buffer
  • 認定
    Industrial
OPN
CY2309NZSXI-1H
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (51-85068)
梱包サイズ 960
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (51-85068)
梱包サイズ 960
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY2309NZSXI-1Hは産業用クロック分配向け9出力非ゼロ遅延バッファです。動作電圧3.0～3.6 V、3.3 V I/O、最大133 MHz入出力、LVCMOS/LVTTL入力、LVCMOS出力。入力出力遅延1 ns未満、出力スキュー250 ps未満、66.6 MHz時32 mA未満、-40～85°C動作、RoHS準拠、16ピンSOICパッケージ。

特長

  • 1入力9出力バッファ
  • 4つのSO-DIMM対応
  • 低消費電力：66.6 MHz時<32 mA
  • 2–133.33 MHz対応
  • 出力間スキュー<250 ps
  • 入出力遅延1 ns
  • 複数VDD/VSSでノイズ/EMI低減
  • 立上/立下時間≤1.5 ns
  • 立上時間0.05–50 ms
  • 熱抵抗：111°C/W (JA)
  • ESD保護>2,000 V

利点

  • 信頼性の高いクロック分配
  • 高密度メモリ対応
  • モバイル機器の電池寿命延長
  • 多様なクロック速度に対応
  • 正確な信号タイミング
  • 高速伝送で遅延低減
  • ノイズ・EMI低減
  • 高速な信号切替
  • システムの迅速な立上
  • 熱ストレスに強い
  • ESD損傷防止

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ