CY15E016Q-SXE
Active and preferred
RoHS対応

CY15E016Q-SXE

パッケージ
個.
在庫あり

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CY15E016Q-SXE
CY15E016Q-SXE
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 周波数
    16 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15E016Q-SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 970
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 970
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY15E016Q-SXEは16 Kbit（2K × 8）車載用シリアルF-RAMで、10兆（10¹³）回の高耐久読書きと85°Cで121年のデータ保持を実現します。4.5 V～5.5 V動作、最大16 MHzのSPI、8ピンSOIC採用。NoDelay™書き込み、低動作電流（1 MHz時0.3 mA）、低スタンバイ電流（85°C時10 μA）、多様な書き込み保護、AEC-Q100 Grade 1準拠で、頻繁かつ高速・信頼性の高い不揮発性メモリが求められる車載・産業用途に最適です。

特長

  • 16 Kbit不揮発F-RAM、2K×8構成
  • 10^13回の読書き耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™書込、RAM並み速度
  • SPIバス最大16 MHz
  • SPIモード0・3対応
  • ハードウェアWPピン
  • ソフトウェア書込禁止・ブロック保護
  • 1 MHz時300 μA動作電流
  • 85°C時10 μA待機電流
  • VDD動作範囲4.5 V～5.5 V
  • –40°C～+125°C動作温度

利点

  • バッテリ不要で信頼のデータ保存
  • 頻繁な高速記録に対応
  • 過酷環境でも長期データ保持
  • 即時書込で待ち時間なし
  • 高速SPIで応答性向上
  • 柔軟なSPIで統合容易
  • ハードWPで誤書込防止
  • ソフト保護で安全更新
  • 低動作電流で消費電力削減
  • 超低待機で省エネ
  • 広VDDで電源設計容易
  • 広温度範囲で極限環境対応

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ