CY15B256J-SXE
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY15B256J-SXE

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY15B256J-SXE
CY15B256J-SXE
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Frequency
    3.4 MHz
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    256 kBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns

推奨
OPN
CY15B256J-SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 485
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 485
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY15B256J-SXEは256 Kbit（32K × 8）の車載グレードシリアル強誘電体RAM（F-RAM）で、I2Cインターフェースを採用し、非揮発性ストレージ、10兆（10¹³）回の読み書き耐久性、85°Cで121年のデータ保持を実現します。動作電圧2.0 V～3.6 V、温度範囲–40°C～+125°C、動作電流は100 kHzで500 µA、スリープモードは12 µA、NoDelay™によるバス速度での高速書き込みが可能です。AEC-Q100 Grade 1認証取得、RoHS準拠で、厳しい車載・産業用途におけるシリアルEEPROMの直接置換に最適です。

特長

  • 256 Kbit不揮発性F-RAM、32K×8構成
  • I2Cシリアル最大3.4 MHz
  • NoDelay™書込、RAM並み速度
  • 10^13回の読書耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • 低消費電力：500 μA動作、12 μA休止
  • 広VDD：2.0 V～3.6 V
  • 動作温度：–40°C～+125°C
  • メーカー・製品ID搭載
  • シリアルEEPROMと互換

利点

  • 即時で信頼性の高いデータ保存
  • 高速・頻繁なデータ記録対応
  • 書込遅延なしでリアルタイム制御
  • EEPROMより高い書込耐久性
  • 長期間データ保持で安心
  • システム消費電力を削減
  • 幅広い電圧環境に対応
  • 車載環境でも高い信頼性
  • デバイス識別・追跡が容易
  • EEPROM設計から簡単移行

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ