CY15B102QN-50SXIT

データシート

パッケージ

CY15B102QN-50SXIT

EA.

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

2 MBit
インターフェース

SPI
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

Excelon™
リードボール仕上げ

Pure Sn
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 85 °C
動作電圧 (VCCQ) (範囲)

1.8 V ～ 3.6 V
動作電圧 (範囲)

1.8 V ～ 3.6 V
周波数

50 MHz
組織 (X x Y)

256Kb x 8
認定

Industrial
速度

0 ns

	推奨
OPN	CY15B102QN-50SXIT
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-DSO-8
パッケージ名	SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ	2000
包装形態	TAPE & REEL
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:		EA. 個の在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-DSO-8
パッケージ名	SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ	2000
包装形態	TAPE & REEL
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

EA.

個の在庫あり

CY15B102QN-50SXITは2 Mb EXCELON™ LP強誘電体RAM（F-RAM）で、SPIインターフェースを採用し、256K × 8構成、最大50 MHzクロックに対応します。10^15回のほぼ無制限な読み書き耐久性と60°Cで151年のデータ保持を実現。動作電圧は1.8 V～3.6 V、温度範囲は-40°C～+85°Cで、低動作電流（40 MHz時2.4 mA typ）・低スタンバイ電流（2.6 µA typ）、高度な書き込み保護機能を備え、8ピンSOICパッケージで提供されます。

特長

2Mb強誘電体RAM、256K×8構成
10^15回の読書耐久性
151年データ保持（60°C）
即時不揮発性書込・遅延なし
最大50 MHz SPI、モード0/3対応
ハード/ソフト高度書込保護
専用256バイト特殊セクタF-RAM
一意のデバイスIDとシリアル番号
動作電流2.4 mA（40 MHz）
待機2.3 µA、ディープ0.7 µA
休止モード0.1 µA（典型）
入出力漏れ電流最大±1 µA

利点

頻繁・高速なデータ記録に最適
書込遅延ゼロで高速化
電断でもデータ消失なし
システム消費電力を削減
携帯機器の電池寿命を延長
高速SPIマイコン設計に対応
デバイス認証が容易
重要データを誤書込から保護
特殊セクタはリフロー耐性
シリアルEEPROM/フラッシュ置換容易
複数SPI機器に適合
高耐久で保守コスト低減

用途

デザインリソース

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CY15B102QN-50SXIT

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特長

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