CY15B102QN-50SXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY15B102QN-50SXIT

データシート
パッケージ
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在庫あり

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CY15B102QN-50SXIT
CY15B102QN-50SXIT
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Frequency
    50 MHz
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    1.8 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    1.8 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推奨
OPN
CY15B102QN-50SXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY15B102QN-50SXITは2 Mb EXCELON™ LP強誘電体RAM（F-RAM）で、SPIインターフェースを採用し、256K × 8構成、最大50 MHzクロックに対応します。10^15回のほぼ無制限な読み書き耐久性と60°Cで151年のデータ保持を実現。動作電圧は1.8 V～3.6 V、温度範囲は-40°C～+85°Cで、低動作電流（40 MHz時2.4 mA typ）・低スタンバイ電流（2.6 µA typ）、高度な書き込み保護機能を備え、8ピンSOICパッケージで提供されます。

特長

  • 2Mb強誘電体RAM、256K×8構成
  • 10^15回の読書耐久性
  • 151年データ保持（60°C）
  • 即時不揮発性書込・遅延なし
  • 最大50 MHz SPI、モード0/3対応
  • ハード/ソフト高度書込保護
  • 専用256バイト特殊セクタF-RAM
  • 一意のデバイスIDとシリアル番号
  • 動作電流2.4 mA（40 MHz）
  • 待機2.3 µA、ディープ0.7 µA
  • 休止モード0.1 µA（典型）
  • 入出力漏れ電流最大±1 µA

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 書込遅延ゼロで高速化
  • 電断でもデータ消失なし
  • システム消費電力を削減
  • 携帯機器の電池寿命を延長
  • 高速SPIマイコン設計に対応
  • デバイス認証が容易
  • 重要データを誤書込から保護
  • 特殊セクタはリフロー耐性
  • シリアルEEPROM/フラッシュ置換容易
  • 複数SPI機器に適合
  • 高耐久で保守コスト低減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ