CY14B108L-ZS20XIT

データシート

パッケージ

CY14B108L-ZS20XIT

データシート

製品仕様情報

Density

8 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Pure Sn
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
組織 (X x Y)

1Mb x 8
認定

Industrial
速度

20 ns

	推奨
OPN	CY14B108L-ZS20XIT
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-44
パッケージ名	TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ	1000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	No
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-44
パッケージ名	TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ	1000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

CY14B108L-ZS20XITは、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを統合した8Mビット (1024K×8) の並列nvSRAMです。20 nsのアクセス、外部VCAPコンデンサー (最小122 µF) を使用した電源オフ時の自動STORE、および電源オン時またはソフトウェアによるRECALLをサポートしています。単一電源動作は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、20年間のデータ保持と100万回のSTORE耐久性を備え、44ピンTSOP IIパッケージで提供されます。

特長

SRAMインターフェース搭載8 MビットnvSRAM
最短20 nsの高速アクセス時間
電源断時の自動保存 (AutoStore)
ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
QuantumTrap不揮発性セル
データ保持期間: 20年
STORE耐久: 100万回
単一3 V電源: 2.7 V～3.6 V
VCAPコンデンサ: 122 μF～360 μF
2.65 V未満では読み出し/書き込みを禁止
電源投入時のRECALL時間: 20 ms

利点

バッテリー不要でSRAM並みの速度
メモリアクセスレイテンシを20 ns削減
シャットダウン時にデータを自動的に保存します
柔軟なバックアップ: SWまたはHSB制御
電源復旧後の高速復元
高信頼性QuantumTrapバックアップ
更新なしで長時間データを保持
頻繁な電源イベントへの耐性
シンプルな3 V電源レールによるレギュレーター削減
小型コンデンサーによる簡易バックアップHW
ブラウンアウト時のデータ破損防止
20 msのRECALLによるシステム起動高速化

アプリケーション

デザインリソース

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CY14B108L-ZS20XIT

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製品仕様情報

特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

CY14B108L-ZS20XIT

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