BSC012N06NS
Active and preferred
RoHS対応

BSC012N06NS

OptiMOS™ power MOSFETs in SuperSO8 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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BSC012N06NS
BSC012N06NS
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    306 A
  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    306 A
  • IDpuls (最大)
    1224 A
  • Ptot (最大)
    214 W
  • QG (typ @10V)
    115 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.2 mΩ
  • Special Features
    Fused leads
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • バッテリー電圧
    24-36 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.52
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

推奨
OPN
BSC012N06NSATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 package extend OptiMOS™ 3 and 5 product portfolio and enable higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance. Low reverse recovery charge (Qrr) improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.

特長

  • Lowest RDS(on) enables highest power density and efficiency
  • Higher operating temperature rating to 175°C for increased reliability
  • Low RthJC for excellent thermal behavior
  • Lower reverse recovery charge (Qrr)

利点

  • Lower full load temperature
  • Less paralleling
  • Reduced overshoot
  • Increased system power density
  • Smaller size
  • System cost reduction
  • Engineering costs and effort reduction
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ