Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BGA9H1BN6

BGA9H1BN6 low noise amplifier for 4G and 5G applications
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BGA9H1BN6
BGA9H1BN6
EA.
データシート

Product details

  • I
    2.2 mA to 5.5 mA
  • IIP3
    -7 dBm
  • NF
    0.6 dB
  • P-1dB (in)
    -16
  • VCC動作
    1.1 V to 3.3 V
  • ゲイン
    20.3 dB
  • 周波数
    2300 - 2700
推奨
OPN
BGA9H1BN6E6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSNP-6
パッケージ名 N/A
包装サイズ 12000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSNP-6
パッケージ名 -
包装サイズ 12000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BGA9H1BN6 is designed for 4G and 5G applications covering 3GPP bands between 2.5 and 2.7 GHz (for band n41). Thanks to a high gain and an ultra-low noise figure performance of the LNA the system sensitivity is significantly improved compared to conventional LNAs. The GPIO interface provides a straightforward control over multiple operation modes. Next to the high gain mode and bypass mode, a power-save and a high performance mode can be selected to increase system dynamic. Thanks to the low-power mode with 2.2 mA current consumption and 1.2V operation voltage the overall power consumption is extremely low. The BGA9H1BN6 is suitable to be implemented in small battery powered devices like wearables or smartphones. 

機能

  • Power gain: 20.0 dB
  • Low noise figure: 0.5 dB
  • Low current consumption: min. 2.2 mA
  • Frequency range from 2.5 to 2.7 GHz
  • Supply voltage: 1.1 to 3.3 V
  • GPIO control interface
  • Multi-state control
  • Small form factor 1.1 mm x 0.7 mm
  • High EMI robustness
  • RoHS and WEEE compliant package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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