6EDL04N065PR
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

6EDL04N065PR

650 V three-phase gate driver with Over Current Protection (OCP), Enable (EN), Fault and Integrated Bootstrap Diode (BSD)
データシート
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在庫あり

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6EDL04N065PR
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製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.1 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • コンフィギュレーション
    Three Phase
  • チャネル
    6
  • パッケージ
    PG-TSSOP-25
  • 伝搬遅延オフ
    530 ns
  • 伝搬遅延オン
    490 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～17.5 V
  • 出力電流 (Source)
    0.165 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.375 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
推奨
OPN
6EDL04N065PRXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ PG-TSSOP-25
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TSSOP-25
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • Infineon thin-film-SOI-technology
  • Maximum blocking voltage +650 V
  • Output current +0.165 A/-0.375 A
  • Integrated Bootstrap Diode
  • Neg. Vs immunity up to -50 V
  • Over current & under voltage detection
  • Programmable delay for fault clear time
  • Cross-conduction prevention

利点

  • Smallest footprint package solution
  • Higher efficiency
  • Increased reliability
  • Higher breakdown voltage (650 V)
  • Easy of design
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ