6EDL04I06PC
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

6EDL04I06PC

600 V three-phase gate driver IC bare die with integrated bootstrap diode, over current protection, enable and fault reporting

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6EDL04I06PC
6EDL04I06PC

製品仕様情報

推奨
OPN
6EDL04I06PCX1SA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ N/A
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ N/A
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
EiceDRIVER™ 600 V three phase gate driver IC bare die for MOS-transistors and IGBTs with 0.17 A source and 0.375 A sink currents and LS-SOI technology.

特長

  • Thin-film-SOI-technology
  • Ultrafast integrated bootstrap diode
  • Maximum blocking voltage +600 V
  • Separate control circuits for all six drivers
  • CMOS and LSTTL compatible input (positive logic)
  • Signal interlocking of every phase to prevent cross-conduction
  • Detection of over current and under voltage supply

利点

  • Space saving package
  • Improved energy efficiency
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ