2N6770
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2N6770

データシート
パッケージ

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2N6770
2N6770
データシート

製品仕様情報

  • ID (@100°C) (最大)
    7.75 A
  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • QPL型番
    2N6770
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    400 mΩ
  • VBRDSS (最小)
    500 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-204AA
  • 極性
    N
  • 認定
    DLA
OPN
2N6770EWSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
M-TO204-3
パッケージ名 TO-204AA (TO-3)
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
M-TO204-3
パッケージ名 TO-204AA (TO-3)
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
2N6770 is a high reliability, 500V, single, N-channel MOSFET in a TO-204AA package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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