2N6768
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2N6768

データシート
パッケージ

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2N6768
2N6768
データシート

製品仕様情報

  • ID (@100°C) (最大)
    9 A
  • ID (@25°C) (最大)
    14 A
  • QPL型番
    2N6768
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    300 mΩ
  • VBRDSS (最小)
    400 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-204AE
  • 極性
    N
  • 認定
    DLA
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
2N6768 is a high reliability, 400V, single, N-channel MOSFET in a TO-204AE package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }