Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

1EDI60N12AF

1200 V single-channel gate driver with separate output and short circuit clamping
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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1EDI60N12AF
1EDI60N12AF
EA.
データシート

Product details

  • I q 1 max
    1 mA
  • I q 2 max
    2 mA
  • PD アウト
    400 mW
  • RDSON_H(最大)
    1.4 Ω
  • RDSON_H(標準)
    0.75 Ω
  • RDSON_L (最大)
    1.7 Ω
  • RDSON_L(標準)
    0.75 Ω
  • RthJA
    165 K/W
  • VBS UVLO (Off)
    8.5 V
  • VBS UVLO (On)
    9.1 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.75 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • 伝搬遅延オフ
    125 ns
  • 伝搬遅延オン
    120 ns
  • 入力 Vcc
    3.1 V to 17 V
  • 出力電流 (Sink)
    9.4 A
  • 出力電流 (Source)
    10 A
  • 製品名
    1EDI60N12AF
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    1200 V
推奨
OPN
1EDI60N12AFXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EiceDRIVER™ Compact 1200 V single-channel isolated gate driver with 9.4/10 A typical sinking and sourcing peak output current in DSO-8 narrow package with 4 mm creepage distance for MOSFETs .1EDI60N12AF belongs to the EiceDRIVER™ 1ED Compact 150mil family (1ED-AF family). 1EDI60IN12AF offers separate sink and source output, 40 ns input filter, accurate and stable timing. The driver can operate over a wide supply voltage range, either unipolar or bipolar.

機能

  • Compact single channel isolated
  • For 600 V, 650 V, 950 V MOSFETs
  • Galv. isolated coreless transformer
  • 10 A typ sink & source peak output
  • 40 V absolute max. output voltage
  • 120 ns propagation delay
  • High CMTI >100 kV/μs
  • Separate source and sink outputs
  • Short-circuit clamping
  • DSO-8 150 mil narrow-body package
  • UVLO protection with hysteresis

利点

  • Tailored for all 650 V CoolMOS™ C7, P6 and other super junction MOS transistors
  • High switching frequency applications as SMPS, up to 4 MHz
  • Integrated filters reduce the need of external filters
  • Suitable for operation at high ambient temperature and in fast switching applications
  • No need to adapt signal voltage levels between μController and driver
  • Active shutdown to ensure a safe IGBT off-state in case the output chip is not connected to the power
  • Short-circuit clamping to limit the gate voltage during short circuit

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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