1ED3127MU12F
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

1ED3127MU12F

アクティブミラークランプを備えた1チャンネル絶縁型ゲートドライバー、10 A、3 kV (rms)、UL1577認証、12 V UVLO
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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1ED3127MU12F
1ED3127MU12F
個.
データシート

製品仕様情報

  • PD アウト
    500 mW
  • RDSON_H(最大)
    0.65 Ω
  • RDSON_H(標準)
    0.38 Ω
  • RDSON_L (最大)
    0.6 Ω
  • RDSON_L(標準)
    0.28 Ω
  • RthJA
    151 K/W
  • VBS UVLO (On)
    12.5 V
  • VBS UVLO (Off)
    10.5 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.5 V
  • VCC UVLO (On)
    3.1 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • パッケージ
    PG-DSO-8
  • 伝搬遅延オフ
    90 ns
  • 伝搬遅延オン
    90 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    3.1 V～17 V
  • 出力電流 (Source)
    10 A
  • 出力電流 (Sink)
    9 A
  • 製品名
    1ED3127MU12F
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    2300 V
推奨
OPN
1ED3127MU12FXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
EiceDRIVER™ Compact 1チャネル絶縁ゲートドライバは、IGBT、MOSFET、SiC MOSFET向けに、DSO-8ナローボディパッケージで、シンクおよびソースのピーク出力電流が標準10 Aです。 SiC MOSFET向けに最適化されたUVLO、正確で安定したタイミング、出力チップが電源に接続されていない場合でもIGBTを安全なオフ状態に保つためのアクティブシャットダウン、短絡時にゲート電圧を制限する短絡クランプを備えています。

特長

  • シングルチャネル絶縁ゲートドライバ
  • 最大2300 VのSiおよびSiCスイッチ向け
  • 2300 Vの機能オフセット電圧に対応
  • ガルバニック絶縁型コアレス変圧器
  • 10 A (標準) のシンクおよびソースのピーク出力
  • 40 V絶対最大出力電圧
  • 伝搬遅延90 ns
  • 高CMTI >200 kV/μs
  • アクティブミラークランプ
  • 短絡時クランプ
  • DSO-8 150 milナローボディパッケージ
  • ヒステリシス付きUVLO保護
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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