インフィニオンの新しい XHP™ 2 CoolSiC™ 高出力モジュール、高電圧電力システムの効率と電力密度を向上

マーケットニュース

2026/05/19

2026年5月11日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) はCoolSiC™ MOSFET 2300 V を内蔵した高電圧電力システム向けの新バリアントを 追加し、XHP™ 2 パワーモジュール ポートフォリオの製品ラインナップを拡充します。新しい2300 V クラスのデバイスは最大1500 VのDC‑link 電圧に対応し、システム電圧の高電圧化という業界トレンドに対応します。モジュールは複数のバリアントで提供され、オン抵抗は 1 mΩ〜2 mΩ、絶縁耐圧は 4 kV または 6 kV を選択可能です。炭化ケイ素 (SiC) 技術の活用により、従来のシリコンベースのソリューションに比べて スイッチング損失と導通損失の双方を低減します。これにより、インバーターはより高い効率と電力密度を実現できるほか、高いスイッチング周波数で動作させて高調波を低減し、システムサイズの小型化にもつなげられます。新しい XHP 2 CoolSiC MOSFET モジュールは、風力、太陽光発電、蓄電システムなどの再生可能エネルギー用途に適しています。

XHP 2 パッケージを採用する本モジュールは、大電力コンバーターでの並列化を容易にする対称的なスイッチングと特性を備えるとともに、アプリケーション要件に応じて効率と性能のバランスを取れる標準化されたプラットフォームを提供します。すべてのバリアントに信頼性を高めて動作寿命を延長する、インフィニオンの実績ある .XT相互接合テクノロジーを統合しています。さらに、熱伝導材料 (TIM) をあらかじめ塗布したタイプも用意し、組み立てを簡素化しつつ安定した熱性能を支えます。

これらの特性はシステムレベルでの定量的な効果として現れます。風力発電のデモシステムでは電力密度 300 kW/L を達成し、蓄電システムの試験では半導体損失が出力電力の 0.7% 未満に抑えられました。今回のポートフォリオ拡充により、インフィニオンは幅広い再生可能エネルギー用途に向けて、次世代の高電圧電力システムに対するスケーラブルなソリューションを提供していきます。

供給状況について

定格2300 V XHP 2 CoolSiC MOSFET モジュール

 FF1000UXTR23T2M1, FF1300UXTR23T2M1, FF2000UXTR23T2M1,  FF1000UXTR23T2M1_B5 はインフィニオンおよび販売代理店各社より入手可能です。

詳細は www.infineon.com/ja/products/power/mosfet/silicon-carbide/modules　をご覧ください。

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約57,000人の従業員を擁し (2025年9月末時点)、2025会計年度 (2024年10月～2025年9月) の売上高は約147億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。

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Infineon expands its XHP™ 2 power module portfolio with new variants incorporating CoolSiC™ MOSFETs 2300 V

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