KIT_HB_GAN_BT_ML_TLL_A
新規
Active and preferred
RoHS対応

KIT_HB_GAN_BT_ML_TLL_A

新規
TOLLパッケージのCoolGaN™ Transistor 650 V G5と、ミラークランプ機能を備えたブートストラップ ゲートドライバICを搭載したハーフブリッジ ドーターボード
User manual
ボード

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KIT_HB_GAN_BT_ML_TLL_A
KIT_HB_GAN_BT_ML_TLL_A
User manual

製品仕様情報

  • 入力電圧 (最大)
    650 V
  • 出力電流 範囲
    0 A～31 A
  • 出力電流 (最大)
    31 A
推奨
OPN
KITHBGANBTMLTLLATOBO1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ L
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ L
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
KIT_HB_GaN_BT_ML_TLL_Aは、デュアルチャネルのブートストラップ ゲートドライバIC (EiceDRIVER™ 2EDB7259Y) とミラークランプ機能を備えた、GaN用ハーフブリッジ ドーターボード ソリューションです。この基板はCoolGaN™ Transistorを駆動できます。

特長

  • コンパクトで最適化されたソリューション
  • 高出力および高周波アプリケーション
  • 簡単に使えるプラグアンドプレイ ソリューション
  • 外部ミラークランプ機能

利点

  • ジャンパー線で設定可能
  • レイアウトへの影響を最小限に抑制
  • ゲートドライバの交換が容易

アプリケーション

Bill of Material

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション