Active and preferred

EVAL-1ED3142MU12F-SIC

Evaluation board for 1ED3142MU12F - 2300 V, 6.5 A, 3 kV (rms) single-channel isolated gate driver
ユーザーマニュアル
EA.
在庫あり

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EVAL-1ED3142MU12F-SIC
EVAL-1ED3142MU12F-SIC
EA.
ユーザーマニュアル

製品詳細

  • アプリケーション
    Power Supplies, Fast EV-charging, Motor control&drives, UPS, Solar
  • サブアプリケーション
    Telecommunication, Server
  • トポロジー
    Half Bridge
  • ファミリー
    Gate Driver, CoolSiC™ MOSFET
  • ボードタイプ
    Evaluation Board
  • 入力タイプ
    DC
  • 寸法
    83 mm x 57 mm x 28 mm
  • 対象アプリケーション
    Fast EV charging, Server power supply, Solutions for photovoltaic energy systems, Uninterruptible Power Supplies (UPS), Motor Control & Drives
  • 製品名
    EVAL-1ED3142MU12F-SIC
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The EVAL-1ED3142MU12F-SIC utilizes two 1ED3142MU12F gate driver ICs for IGBTs, MOSFETs, and SiC MOSFETs. It comes pre-populated with CoolSiC™ MOSFET IMZA120R020M1H and features an additional gate driver IC for isolated over-current feedback. The 1ED3142MU12F provides separate sink and source output, stable timing, active shutdown, and short-circuit clamping, operating over a wide supply voltage range in unipolar or bipolar configurations.

機能

  • Single channel isolated gate driver
  • For up to 2300 V Si & SiC switches
  • 2300 V func. offset voltage capable
  • Galvanically isolated
  • 6.5 A typ. sink & source peak outp.
  • 35 V max. output supply voltage
  • 45 ns prop. delay w/ 20 ns input
  • High CMTI >300 kV/μs
  • Separate source and sink outputs
  • Short-circuit clamping
  • Active shutdown
  • DSO-8 150 mil narrow-body package

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