インフィニオン、AIデータセンター／産業用途向けにノーマリーオフ対応CoolSiC™ JFET製品群を拡充

マーケットニュース

2026/06/10

2026年6月2日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、AIデータセンター向け需要の拡大と、ソリッドステート電力保護への移行を背景に、CoolSiC™ JFETポートフォリオを拡充します。新たなデバイス、パッケージオプション、および構成により、高性能な電力配分および保護システムを支援します。

昨年導入されたQ-DPAKパッケージの750 Vおよび1200 V CoolSiC JFETは、現在量産への移行段階にあります。また、PCIM Europe 2026ではさらなるパッケージ オプションとノーマリーオフ (Normally-off) のバリアントを発表し、ディスクリート製品ポートフォリオを強化します。 これらの製品は、ソリッドステート サーキット ブレーカー (SSCB、半導体遮断器)、バッテリー ディスコネクトスイッチ、AIデータセンターにおけるパワー サプライ ユニット (PSU)、バッテリー バックアップ ユニット (PBU)、中間バス コンバーター (IBC) のホットスワップやeFuse設計電力分配アーキテクチャなどの用途に対応します。

これらの用途では、パワー半導体は主にオン状態で動作し、障害発生は短時間かつ稀です。そのため、導通損失、リニアモードでの堅牢性、アバランシェ耐性が重要な設計パラメータとなります。 こうした要件に対応するため、インフィニオンは広く使用されているTO-247-4パッケージの1200 V CoolSiC JFETを導入します。本デバイスはオン抵抗5.0 mΩからとなっており、標準的なスルーホールパッケージを使用した既存のSiC MOSFET設計に対して、PCBの再設計なしで置き換え可能です。 さらに、本ポートフォリオにはノーマリーオフ構成のCoolSiC JFETも追加されます。これはCoolSiC JFETとインフィニオンの低電圧Si MOSFETであるOptiMOS™を単一パッケージに統合したものです。

  • デュアル ドライブ構成では、SiC JFETとSi MOSFETのゲートに個別にアクセス可能で、PCBレベルでの完全な制御と設計柔軟性を提供します。また、VGS＝2 Vでのオーバードライブ動作に対応し、オン抵抗を約10％低減します。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
  • カスコード構成では、SiC JFETのゲートを内部結合し、MOSFETゲートのみを外部から制御します。これにより、標準的なゲートドライバーで使用可能なプラグアンドプレイ動作を実現し、専用回路を不要にします。
  • 量産開始されたQ-DPAKパッケージのCoolSiC JFETは、750 Vでは最小1.6mΩ、1200 Vでは最小2.3 mΩというオン抵抗を実現しており、これらの電圧クラスにおけるSiCデバイスの中でも最も低い水準となっています。

すべてのデバイスは、拡散はんだ付けを用いたインフィニオン独自の.XT相互接合技術を採用しており、パルス負荷やサイクル負荷下での熱性能と堅牢性を向上させています。これらのデバイスは実際の動作条件下で認定されており、過負荷や故障時でも信頼性の高い動作を可能にします。CoolSiC JFETを用いたソリッドステート保護は、従来の電気機械式システムと比べて桁違いに高速なスイッチングを実現し、損傷リスクの低減、ダウンタイムの最小化、およびシステム寿命の延長に貢献します。AIデータセンターでは、この故障分離機能により高価なコンピュートおよびメモリ資産を保護するとともに、高電力密度運用と稼働率向上を支援します。SSCB、リレー、バッテリー管理システムなどの産業用途においても、これらのデバイスは長期的な導通信頼性と迅速な故障分離の両立を可能にします。

Q-DPAK、TO-247-4、TOLLの各パッケージに加え、ノーマリーオン、デュアル ドライブ、カスコードといった構成オプションにより、インフィニオンは現在、幅広いRDS(on)レンジ、ゲート駆動方式、および実装要件に対応する包括的なCoolSiC JFETディスクリートポートフォリオを提供しています。これにより、同社のCoolSiC製品における高い信頼性を維持しながら、多様な設計ニーズに応えます。

供給状況について

Q-DPAKパッケージの750 Vおよび1200 V CoolSiC JFETは、2026年に量産を開始する予定です。TO-247-4、デュアル ドライブ、カスコード構成などを含む追加バリアントについては現在エンジニアリングサンプルを提供しており、これらも2026年中に量産を開始する予定です。

インフィニオンは、ドイツ ニュルンベルクで開催されるPCIM Europe 2026（ホール7、ブース470）において、CoolSiC JFETディスクリートポートフォリオを展示予定です。

詳細はwww.infineon.com/jfetをご参照ください。

PCIM Europe 2026におけるインフィニオン

PCIM Europeは2026年6月9日から11日までドイツのニュルンベルクで開催されます。インフィニオンはホール7、ブース470において、脱炭素化とデジタル化に向けた製品とソリューションを紹介します。報道関係のお問い合わせはmedia.relations@infineon.comまで、業界アナリストでブリーフィングをご希望の方はMarketResearch.Relations@infineon.comまでメールでご連絡ください。PCIM 2026におけるインフィニオンの見どころに関する情報は、www.infineon.com/pcimをご覧ください。

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約57,000人の従業員を擁し (2025年9月末時点)、2025会計年度 (2024年10月～2025年9月) の売上高は約147億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。

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報道関係のお問い合わせ先

インフィニオン テクノロジーズ

広報渉外グループ　豊田

TEL: 070-8819-0095／E-mail: Yufuko.Toyoda@infineon.com

 

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The 750 V and 1200 V CoolSiC™ JFET devices in Q-DPAK packages are now entering mass production. In addition, Infineon is introducing a CoolSiC JFET 1200 V in the widely used TO-247-4 package.

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Infineon’s CoolSiC™ JFET portfolio is extended by normally-off configurations, combining a CoolSiC JFET with an Infineon OptiMOS™ low-voltage Si MOSFET in a single package

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Yufuko Toyoda

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