インフィニオン、よりスマートかつ高速なソリッドステート電力分配を実現する新しいCoolSiC™ JFETテクノロジーを発表

マーケットニュース

04/06/2025

2025年5月5日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、次世代のソリッドステート電力供給システムを実現するために、新しいCoolSiC™ JFET製品ファミリーを追加して炭化ケイ素 (SiC) ポートフォリオを拡張します。この新しいデバイスは最小の導通損失、確実なターンオフ機能、および高い堅牢性を備えているため、高度なソリッドステート保護および配電に最適です。CoolSiC JFETは、堅牢な短絡機能、線形モードでの熱安定性、正確な過電圧制御機能により、ソリッドステート サーキット ブレーカー (SSCB)、AIデータセンター ホットスワップ、eFuse、モーター ソフト スターター、産業用安全リレー、車載用バッテリー切断スイッチなど、幅広い産業および車載用途で信頼性が高く効率的なシステム性能を発揮します。

 

インフィニオンのグリーン インダストリアル パワー事業部プレジデントであるピーター バーウァー (Peter Wawer) は「インフィニオンは、CoolSiC JFETによって、よりスマートで高速、かつ堅牢な電力供給システムに対する需要の高まりに対応します。このアプリケーションに対して開発されたパワー半導体テクノロジーは、急速に進化するこの分野における複雑な課題を解決するために必要なツールをお客様に提供することに特化して設計されています。当社は、業界トップクラスのオン抵抗を実現するデバイスを導入することで、SiCの性能に新たな基準を確立し、ワイドバンドギャップ テクノロジー分野におけるインフィニオンのリーダーシップを再確認することを誇りに思います」と述べています。

 

第1世代のCoolSiC JFETは、1.5 mΩ (750 VBDss) および 2.3 mΩ (1200 VBDss) から始まる超低オン抵抗により導通損失を大幅に低減します。バルク チャネルに最適化されたSiC JFETは、短絡およびアバランシェ条件下で高い堅牢性を発揮します。Q-DPAK上面放熱 (トップサイド冷却) パッケージにパッケージングされたこれらのデバイスは、容易な並列化とスケーラブルな電流処理をサポートし、柔軟なレイアウトと統合オプションを備えたコンパクトな高出力システムを実現します。熱応力、過負荷、異常条件下で予測可能なスイッチング動作によって、連続動作における長期的な信頼性が大幅に向上します。

 

厳しいアプリケーション環境における熱的および機械的な課題に対応するために、CoolSiC JFET は、拡散はんだ接合によるインフィニオンの高度な.XT接合技術を利用しています。そのため、産業用電力システムによく見られるパルス状および周期的な負荷条件での過渡熱インピーダンスと堅牢性が大幅に向上します。ソリッドステート電力スイッチの実際の動作条件下で試験および認定された、業界標準のQ-DPAKパッケージをベースとするこれらのデバイスは、産業用途と車載用途のいずれでも迅速かつシームレスな設計統合を可能にします。

 

供給状況について

新しいCoolSiC JFETファミリーのエンジニアリング サンプルは2025年後半に入手可能になり、量産は2026年に開始する予定です。製品ポートフォリオは、さまざまなパッケージとモジュールにさらに拡大されます。

 

本製品の詳細についてはwww.infineon.com/jfetをご覧ください。

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,060人の従業員を擁し (2024年9月末時点)、2024会計年度 (2023年10月～2024年9月) の売上高は約150億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。

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CoolSiC JFET 1200 V and 750 V G1 Q-DPAK

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