インフィニオン、AIデータセンター向け高電圧アーキテクチャに対応した業界初の24 kW SiCベースのBBUリファレンス デザインを発表

テクノロジーニュース

2026/06/08

2026年6月2日、ミュンヘン (ドイツ)

 

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、AIデータセンターの高電圧 (HV) DCバス アーキテクチャ向けに、24 kWのバッテリー バックアップ ユニット (BBU) 用DC-DCリファレンス デザインを発表しました。本デザインは、650 Vおよび1200 Vの炭化ケイ素 (SiC) 技術を用い、バッテリー スタックから800 V DCバスへ直接動作する初のソリューションです。現行の低電圧 (LV) BBU実装と同等の物理的なフォームファクタで、450 W/in³の電力密度と99%を超える効率を実現します。これにより、データセンターがより高い電圧のDC配電へ移行する中で大きな課題となっているインフラの課題解消に貢献します。

 

インフィニオンのシニア バイス プレジデント兼パワーシステムICビジネス ライン責任者のマグダレーネ ベーベル (Magdalene Boebel) は「大規模なAIに電力を供給するには、グリッド接続からプロセッサ コアに至るまで、電力供給チェーンのあらゆる段階を最適化する包括的なアプローチが求められます。インフィニオンの24 kW高電圧BBUリファレンス デザインは、800 V DCバスで直接動作し、電力密度と効率の新たなベンチマークを打ち立てるものです。これにより、最も厳しいAIインフラ要件に対応するための完全統合型ソリューションを実現できます」と述べています。

 

本リファレンス デザインは、スタック、インターリーブ、結合型のブースト段およびバック段を組み合わせた、マルチレベルかつマルチフェーズの非絶縁アーキテクチャをベースとしています。このアプローチにより、フライング コンデンサに頼ることなく、磁気部品の体積を直接縮小できます。共有スイッチングレッグ トポロジーが、充電段と放電段の間に共通の電流経路を確立し、動作範囲全体でゼロ電圧スイッチング (ZVS) を可能にします。その結果、電流リップルの低減、磁気部品の完全統合、高速な過渡応答を実現しています。これらの特性は、AIサーバーの消費電力がよりダイナミックかつ予測しにくくなる中で、ますます重要になっています。

 

このコンパクトなモジュールは112 x 88 x 118 mmで、24 kWの主電力段と2.4 kWの補助電源を統合しています。チャージャーとディスチャージャーのブロックは、EMIフィルター、コンデンサ、保護MOSFETを共有することで、部品点数全体を削減しています。業界最高クラスのSiC接合ゲート電界効果トランジスタ (JFET) が、ORingおよびホットスワップ機能を提供します。さらに、プレーナー トランスとCoolSET™を組み合わせることで、補助SMPSをコンパクトかつコスト効率の高いフットプリントで実装しています。

 

DC-DC変換ステージは、HV BBU用途における双方向バックブーストDC-DC動作用に認定された650 VデバイスであるCoolSiC™ MOSFET IMT65R033M2Hを中心に構成されています。低い導通損失とスイッチング損失により、99%を超えるステージ効率を実現し、ラック レベルでの熱負荷を低減します。系統異常時、発電機切り替え時、または停電時にも、HV DCバスとバッテリーの間で最小限の損失で迅速にエネルギーを移送し、ホールドアップ時間を確実に延長します。650 Vのブレークダウン定格、堅牢なボディ ダイオード、175 ℃の接合温度定格、.XTパッケージ技術により、電圧スパイク、高dv/dtトランジェント、継続的な熱サイクルに対する高い耐性を備えています。デバイス間で一貫したVgs(th)特性を確保しているため、多相設計を簡素化し、冗長化されたラック構成にも対応しやすくなります。このアーキテクチャは、ラック レベルのHV BBU用途における高出力DC-DCステージでIMT65R033M2Hを実証したインフィニオンのREF_12KW_HFHD_PSUリファレンス デザインにも文書化されています。

 

完全な部品表 (BOM) には、IMT65R033M2Hを含むCoolSiC MOSFET 650 V Generation 2、EiceDRIVER™ゲート ドライバー、TLE497x電流センサー、PSOC™ Performance line マイクロコントローラー、補助SMPS向けCoolSET IC、および1.7 kV SiC MOSFETが含まれます。

 

さらに、設計上の特長として、AC成分をほとんど伴わないコモンモード ノイズの低減と、磁気部品の完全統合が挙げられます。3枚のパワーカードは、DC正極、DC負極、および中点レールの機械的接続を担うと同時にアセンブリの構造要素としても機能し、ソリューション全体のコンパクト化に貢献しています。

 

データセンターにおけるより高い電圧のDCバス アーキテクチャへの移行は、ラックおよび設備全体のスケールでの効率向上と配電損失低減というメリットによって推進されています。BBUはこのインフラ変革の中核を担う要素であり、電力系統の異常時にもAIサーバーへの連続的な電力供給を維持します。今回の24 kW HV BBUリファレンス デザインは、SiCベースのDC-DC変換により、この移行に求められる電力密度、効率、信頼性の要件に応えられることを示しています。インフィニオンは、シリコン (Si)、SiC、窒化ガリウム (GaN) にまたがるポートフォリオにより、グリッドからプロセッサ コアまでの電力供給チェーン全体をカバーしています。

 

供給状況について

インフィニオンのAIデータセンター向けBBUソリューションの詳細、技術文書、およびリファレンス デザインの詳細については、www.infineon.com/bbu-aiをご覧ください。

 

PCIM Europe 2026におけるインフィニオン

PCIM Europeは2026年6月9日から11日までドイツのニュルンベルクで開催されます。インフィニオンはホール7、ブース470において、脱炭素化とデジタル化に向けた製品とソリューションを紹介します。報道関係のお問い合わせはmedia.relations@infineon.comまで、業界アナリストでブリーフィングをご希望の方はMarketResearch.Relations@infineon.comまでメールでご連絡ください。PCIM 2026におけるインフィニオンの見どころに関する情報は、www.infineon.com/pcimをご覧ください。

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約57,000人の従業員を擁し (2025年9月末時点)、2025会計年度 (2024年10月～2025年9月) の売上高は約147億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。

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インフィニオン テクノロジーズ

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Infineon introduces a 24 kW battery backup unit DC-DC reference design for high-voltage DC bus architectures in AI data centers

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