CoolSiC™ ハイブリッド デバイス

炭化ケイ素 (SiC) ダイオードとトランジスタは、先進的で革新的なパワーエレクトロニクスの主要コンポーネントです。

概要

CoolSiC™ ハイブリッド デバイス

SiCダイオードをSi IGBTと組み合わせて使用することで、ハイブリッド パワー スイッチ デバイスにより、IGBT技術の能力を次の効率レベルへ拡張できます。CoolSiC™ハイブリッド製品は、純Siソリューションと、完全SiC MOSFET設計がもたらす高性能との間をつなぐ、価格性能の架け橋となります。

CoolSiC™ ハイブリッド ディスクリート: 既存のディスクリート設計を、プラグアンドプレイで高効率へ迅速にアップグレードできます。経験則として、スイッチング周波数が10 kHz増えるごとに効率が0.1%向上します (例: 動作周波数23 kHzで0.23%向上) 。

CoolSiC™ハイブリッドモジュール: 純粋なシリコンを使用したソリューションとシリコンカーバイドソリューションの間の理想的な架け橋となります。これらは、IGBTチップとSiCダイオードを組み合わせて、IGBTテクノロジーの電力密度をさらに拡張します。

SiC MOSFETに匹敵する超低スイッチング損失

SiC ダイオードと共にパッケージングされた CoolSiC™ハイブリッドデバイスは、ほぼ同じdV/dt およびdi/dt 値でスイッチング損失を大幅に低減します。ケルビンエミッタ4ピンパッケージの超高速IGBT は、より高いdV/dt またはdi/dt 値(したがってEMCの悪化)を犠牲にしてスイッチング損失を低減します。高速スイッチングS5 TRENCHSTOP™ 5 650V IGBT または超高速スイッチングH5 TRENCHSTOP™ 5 IGBTは、FWDの第6世代 SiCダイオードと共にTO-247 4ピンパッケージに搭載されています。ディスクリートポートフォリオに加えて、最新のTRENCHSTOP™テクノロジーS7およびH5とCoolSiC™ショットキーダイオードを搭載した、高さ12 mmでベースプレートレスなクラス最高のEasyモジュールを提供しています。

主な機能と主な利点

CoolSiC™ ハイブリッド デバイスは、スイッチング損失の大幅な低減などの主要な特長を備え、SiC MOSFETに近い効率を提供します。また、費用対効果が高く「より安全な」SiC MOSFETの代替として、既存のIGBTソリューションをプラグアンドプレイで置き換えられます。

主な特長には、ジャンクション温度の低減、スイッチング周波数の向上、高いシステム効率を維持しながら競争力のあるBOMの実現、ならびに効率改善が含まれます。また、スイッチング周波数が10 kHz上がるごとに、効率が約0.1%向上することが挙げられます。

CoolSiC™ ハイブリッド デバイス

SiCダイオードをSi IGBTと組み合わせて使用することで、ハイブリッド パワー スイッチ デバイスにより、IGBT技術の能力を次の効率レベルへ拡張できます。CoolSiC™ハイブリッド製品は、純Siソリューションと、完全SiC MOSFET設計がもたらす高性能との間をつなぐ、価格性能の架け橋となります。

CoolSiC™ ハイブリッド ディスクリート: 既存のディスクリート設計を、プラグアンドプレイで高効率へ迅速にアップグレードできます。経験則として、スイッチング周波数が10 kHz増えるごとに効率が0.1%向上します (例: 動作周波数23 kHzで0.23%向上) 。

CoolSiC™ハイブリッドモジュール: 純粋なシリコンを使用したソリューションとシリコンカーバイドソリューションの間の理想的な架け橋となります。これらは、IGBTチップとSiCダイオードを組み合わせて、IGBTテクノロジーの電力密度をさらに拡張します。

SiC MOSFETに匹敵する超低スイッチング損失

SiC ダイオードと共にパッケージングされた CoolSiC™ハイブリッドデバイスは、ほぼ同じdV/dt およびdi/dt 値でスイッチング損失を大幅に低減します。ケルビンエミッタ4ピンパッケージの超高速IGBT は、より高いdV/dt またはdi/dt 値(したがってEMCの悪化)を犠牲にしてスイッチング損失を低減します。高速スイッチングS5 TRENCHSTOP™ 5 650V IGBT または超高速スイッチングH5 TRENCHSTOP™ 5 IGBTは、FWDの第6世代 SiCダイオードと共にTO-247 4ピンパッケージに搭載されています。ディスクリートポートフォリオに加えて、最新のTRENCHSTOP™テクノロジーS7およびH5とCoolSiC™ショットキーダイオードを搭載した、高さ12 mmでベースプレートレスなクラス最高のEasyモジュールを提供しています。

主な機能と主な利点

CoolSiC™ ハイブリッド デバイスは、スイッチング損失の大幅な低減などの主要な特長を備え、SiC MOSFETに近い効率を提供します。また、費用対効果が高く「より安全な」SiC MOSFETの代替として、既存のIGBTソリューションをプラグアンドプレイで置き換えられます。

主な特長には、ジャンクション温度の低減、スイッチング周波数の向上、高いシステム効率を維持しながら競争力のあるBOMの実現、ならびに効率改善が含まれます。また、スイッチング周波数が10 kHz上がるごとに、効率が約0.1%向上することが挙げられます。