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インフィニオンは、テレコムやデータコムDC-DCコンバータなどのハーフブリッジアプリケーションの中電圧パワーMOSFET向けに設計されており、デュアルチャネルジャンクション絶縁ゲートドライバICのEiceDRIVER™ 2EDL8x2xファミリーを発表しました。設計者は、2つの異なるプルアップ電流から選択できます: -3 Aバージョン:改造設計に適した選択肢です。- 4 Aバージョン:MOSFETのスイッチング損失を低減するために推奨される業界トップクラスのバージョンです。

  • 120Vブートストラップダイオード内蔵
  • 低抵抗のフルスイング出力
  • ローサイド 3 A プルアップ/6 A プルダウン
  • ハイサイド 3A プルアップ -2EDL812X
  • ハイサイド5Aプルダウン-2EDL812X
  • ハイサイド 3 A/4 A プルアップ -2EDL803X
  • ハイサイド6Aプルダウン-2EDL803X
  • 2nsのディレイマッチング
  • 差動入力-2EDL812X
  • 独立した入力-2EDL803X
  • 低いデッドタイム損失
  • リードレス パッケージとピン配置

製品

概要

2EDL8XXXファミリーには、次の2つの異なる入力構成が用意されています。
- 2EDL803Xは、両方のチャネルを独立して動作させることができます。 このため、フリーホイールフェーズでの損失を低減できるため、1次側のフルブリッジや2次側の同期整流段に最適です。
- 2EDL812Xの差動入力構造により、シュートスルー保護を内蔵したハーフブリッジ ゲートドライバとして効果的に使用できるため、非対角駆動方式の1次側ハーフブリッジ段に適しています。
2EDL8XXXファミリーのすべてのバリエーションに共通しているのは、内蔵の120 Vブートストラップダイオードと、ボルト秒のバランスを確保し、磁気コアの飽和を回避する2ns(代表値)の正確なチャネル間伝搬遅延マッチングです。

2EDL8XXX製品ファミリーは、業界標準のリードレス パッケージとピン配置で提供され、最も一般的で広く使用されているVDSON-8 4x4、VDSON-10 4x4、VSON-10 3x3のいずれかで、より高い電力密度の設計でフットプリントを小さくすることができます。

- 外付けブートストラップダイオード不要
- 高速MOSFETスイッチング
- 強力なプルダウン電流により、スイッチングノイズによるリターンオンのリスクを低減
- 低デッドタイム損失
- 固有のシュートスルー保護
- -8V/+15Vの同相除去比

- 高出力密度
- 高効率
- 強力なMOSFETの信頼性
- 堅牢な操作

2EDL8XXXファミリーには、次の2つの異なる入力構成が用意されています。
- 2EDL803Xは、両方のチャネルを独立して動作させることができます。 このため、フリーホイールフェーズでの損失を低減できるため、1次側のフルブリッジや2次側の同期整流段に最適です。
- 2EDL812Xの差動入力構造により、シュートスルー保護を内蔵したハーフブリッジ ゲートドライバとして効果的に使用できるため、非対角駆動方式の1次側ハーフブリッジ段に適しています。
2EDL8XXXファミリーのすべてのバリエーションに共通しているのは、内蔵の120 Vブートストラップダイオードと、ボルト秒のバランスを確保し、磁気コアの飽和を回避する2ns(代表値)の正確なチャネル間伝搬遅延マッチングです。

2EDL8XXX製品ファミリーは、業界標準のリードレス パッケージとピン配置で提供され、最も一般的で広く使用されているVDSON-8 4x4、VDSON-10 4x4、VSON-10 3x3のいずれかで、より高い電力密度の設計でフットプリントを小さくすることができます。

- 外付けブートストラップダイオード不要
- 高速MOSFETスイッチング
- 強力なプルダウン電流により、スイッチングノイズによるリターンオンのリスクを低減
- 低デッドタイム損失
- 固有のシュートスルー保護
- -8V/+15Vの同相除去比

- 高出力密度
- 高効率
- 強力なMOSFETの信頼性
- 堅牢な操作

ドキュメント