S70KS1282GABHB020
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S70KS1282GABHB020

個.
在庫あり

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S70KS1282GABHB020
S70KS1282GABHB020
個.


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-2
  • メモリ容量
    128 MBit
  • リードボール仕上げ
    N/A
  • 初期アクセス時間
    35 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~105 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERRAM
  • 認定
    Automotive

OPN
S70KS1282GABHB020
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
個.
在庫あり
S70KS1282GABHB020は128 MbのHYPERRAM自己リフレッシュDRAM(PSRAM)で、HYPERBUSインターフェースと1.8 V専用I/O(VCC/VCCQ 1.7 V~2.0 V)に対応します。DDR転送で最大200 MHz、最大400 MBpsのスループットと最大アクセス時間35 nsを実現。AEC-Q100 Grade 2(-40°C~+105°C)で、24ボールFBGA(BHB)、8ビットDQとRWDS/RESET#、部分/全アレイリフレッシュ、ハイブリッドスリープとディープパワーダウンを備えます。

特長

  • HYPERBUSインターフェース
  • VCC 1.7 V2.0 V対応
  • VCC 2.7 V3.60 V対応
  • 8ビットDDRバスDQ[7:0]
  • 最大200 MHzクロック
  • 最大400 MBpsスループット
  • tACC最大35 ns
  • ラップ16/32/64/128 B
  • RWDS:ストローブ/マスク
  • DCARSでRWDS位相シフト
  • ハイブリッドスリープ保持
  • ディープパワーダウン刷新停止

利点

  • 少ピンで高帯域を実現
  • 1.8 V/3.0 Vロジックに適合
  • DDRでシステムピン削減
  • 200 MHzで高速CPUに対応
  • 400 MBpsで高速バッファ供給
  • tACC 35 nsで遅延低減
  • バースト長がキャッシュに適合
  • RWDSでDDRタイミング容易
  • DCARSで読み取りマージン向上
  • スリープで省電力+保持
  • DPDでオフ時リーク低減
  • クロック停止で待機電流低減
ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ