S70KS1281DPBHI023

データシート

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S70KS1281DPBHI023
S70KS1281DPBHI023
データシート

製品仕様情報

  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • インターフェース帯域幅
    333 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-1
  • リードボール仕上げ
    N/A
  • 初期アクセス時間
    36 ns
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 技術
    HYPERRAM
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
S70KS1281DPBHI023は128 Mb（16 MB）のHyperRAM自己リフレッシュDRAMで、8ビットDQバスと低信号数インターフェース（CS#、CK/CK#、RWDS）を備えます。1.8 VでDDR最大166 MHz（333 MBps）、3.0 Vで最大100 MHz（200 MBps）に対応し、ラップ（16～128バイト）/リニアバーストを選択可能。-40～85°Cの産業温度範囲、24ボールFBGAで組込みのバッファメモリに適します。

特長

  • HyperRAM低信号数IF
  • 8ビットDDRデータDQ[7:0]
  • I/O信号11/12本
  • 1.8 Vで最大166 MHz
  • 3.0 Vで最大100 MHz
  • 最大333 MBps帯域
  • RWDSストローブ/マスク
  • ラップ16/32/64/128B
  • リニア/ハイブリッドバースト
  • ディープパワーダウンDPD
  • 電源1.7 V1.95 V
  • 電源2.7 V3.6 V

利点

  • 並列DRAMよりMCUピン削減
  • DDRでクロック当たり高スループット
  • 配線本数を減らし実装容易
  • 166 MHzで高速リード対応
  • 100 MHzで3.0 Vホスト適合
  • 333 MBpsで高品位HMIを実現
  • RWDSでタイミング容易+マスク
  • バーストでバス効率最適化
  • リニアはストリーミング向き
  • DPDで待機時の消費電力低減
  • 1.8 V電源許容で電源簡素化
  • 3.0 Vでレガシー電源に対応

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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