JANSR2N7592T3
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JANSR2N7592T3

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JANSR2N7592T3
JANSR2N7592T3
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    10 A
  • ID (@25°C) (最大)
    16 A
  • QG
    42 nC
  • QPL型番
    2N7592T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    130 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
JANSR2N7592T3 N-channel MOSFET is designed for high-performance power in space applications. These rad hard R6 MOSFETs are capable of up to 100V and 20A, with electrical performance up to 300krad(Si) TID. In a TO-257AA low ohmic package, these MOSFETs provide low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses in switching applications. The MOSFETs are QPL qualified and retain all the benefits of MOSFET technology.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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