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JANSR2N7381

データシート
パッケージ

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JANSR2N7381
JANSR2N7381
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    6 A
  • ID (@25°C) max
    9.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7381
  • RDS (on) (@25°C) max
    400 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Rad hard N-channel MOSFET JANSR2N7381 is a single device in a TO-257AA package, capable of handling 200V and 9.4A. Its electrical performance is proven up to 500krad(Si) TID, making this R4 device suitable for space applications. With low RDS(on) and low gate charge, it reduces power losses in DC-DC converters and motor control.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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