ISP650P06NM
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

ISP650P06NM

P-channel MOSFET in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
データシート
パッケージ

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ISP650P06NM
ISP650P06NM
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -3.7 A
  • IDpuls (最大)
    -14.8 A
  • Ptot (最大)
    4.2 W
  • QG (typ @10V)
    -39 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    65 mΩ
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th) 範囲
    -2.1 V～-4 V
  • パッケージ
    SOT-223
  • 予算価格€/ 1k
    0.43
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    P
  • 特別な機能
    Small Power
推奨
OPN
ISP650P06NMXTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
OptiMOS™ P-Channel MOSFET 60 V in SOT-223 package targeting battery management, load switch and reverse polarity protection applications, reducing design complexity in medium and low power applications. Easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. Available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads.

特長

  • VDS = -60V
  • Wide RDS(on) range
  • Logic level availability

利点

  • Easy interface to MCU
  • Enhanced efficiency at low loads
  • Fast switching
  • Avalanche ruggedness

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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