アクティブで優先
RoHS準拠
鉛フリー

ISP16DP10LMA

P-channel power MOSFETs 100 V in SOT-223 package for automotive applications
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISP16DP10LMA
ISP16DP10LMA
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -3.9 A
  • IDpuls max
    -15.6 A
  • QG (typ @4.5V)
    -21 nC
  • QG (typ @10V)
    -41 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    167 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    190 mΩ
  • VDS max
    -100 V
  • VGS(th)
    -1 V to -2 V
  • Package
    SOT-223
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    P
推奨
OPN
ISP16DP10LMAXTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
ISP16DP10LMA features a low RDS(on) of 0.067 Ohm for easy power loss management making it the best-in-class MOSFET in a SOT-223 package targeted for automotive applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity and simple interface.In addition, the avalanche ruggedness capability of this MOSFET makes it suitable for high demanding applications.

機能

  • Automotive qualification
  • Lowest RDS(on) in portfolio
  • Supports a wide variety of applications
  • Robust, reliable performance

利点

  • Quality and reliability
  • Low conduction lossses
  • Long production lifetime and support
  • Extention of battery lifetime

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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