ISCH69N04LM7SC
新規
Active and preferred
RoHS対応

ISCH69N04LM7SC

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OptiMOS™ 7 40 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled (DSC) package
データシート
パッケージ

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ISCH69N04LM7SC
ISCH69N04LM7SC
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    380 A
  • QG (typ @10V)
    32 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    0.9 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.69 mΩ
  • Special Features
    Dual-Side Cooling
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.1 V～1.7 V
  • VGS(th)
    1.4 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
ISCH69N04LM7SCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
Infineon’s latest OptiMOS™ 7 40 V switching-optimized MOSFET delivers a new level of efficiency for power conversion. Compared to the previous-generation OptiMOS™ 6 BSC007N04LS6SC, it achieves up to 56% lower Qgd, 36% better RDS(on) 4,5 × Qg FOM and 24% lower QOSS, enabling lower switching losses, higher switching frequencies and increased power density in high power DC-DC converters, HVIBC and 48 V conversion.

特長

  • Switching-optimized OptiMOS™ 7
  • 56% lower Qgd vs. 0.7 mΩ OptiMOS™ 6
  • -36% RDS(on)×Qg FOM vs. 0.7mΩ OptiMOS™ 6
  • -29% Qg vs. 0.7 mΩ OptiMOS™ 6
  • -24% Qoss vs. 0.7 mΩ OptiMOS™ 6
  • 380 A current capability
  • GaN-drive compatible

利点

  • Maximize efficiency and power density
  • Minimize switching losses and EMI
  • Increase power density
  • Reduce gate-drive losses
  • Improve soft-switching efficiency
  • Support demanding conversion stages
  • Future-proof platform designs
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ