ISC010N06NM5
Active and preferred
RoHS対応

ISC010N06NM5

OptiMOS™ 5 Single N-Channel Power MOSFET 60 V, 1.05 mΩ, 330 A in a SSO8 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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ISC010N06NM5
ISC010N06NM5
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    330 A
  • ID (@25°C) (最大)
    330 A
  • IDpuls (最大)
    1320 A
  • Ptot (最大)
    214 W
  • QG (typ @10V)
    115 nC
  • QG
    115 nC
  • RDS (on) (最大)
    1.05 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.05 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.3 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • バッテリー電圧
    24-36 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.59
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fused leads
推奨
OPN
ISC010N06NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ 5 power MOSFET 60 V in SuperSO8 package (ISC010N06NM5) offers low on-state resistance RDS(on) at 25˚C and 175˚C, and high continuous current (up to 330 A), enables higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.

特長

  • Lowest RDS(on) at 25˚C
  • Low RthJC
  • Low reverse recovery charge
  • Operating temperature rating to 175°C

利点

  • Reduced Losses, Enhanced Efficiency
  • Less parallel for system cost reduction
  • Reduced overshoot
  • Excellent thermal behavior
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ