Active and preferred
RoHS準拠

ISC010N06NM5

OptiMOS™ 5 Single N-Channel Power MOSFET 60 V, 1.05 mΩ, 330 A in a SSO8 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISC010N06NM5
ISC010N06NM5
EA.
データシート

Product details

  • ID max
    330 A
  • ID (@25°C) max
    330 A
  • IDpuls max
    1320 A
  • Ptot max
    214 W
  • QG (typ @10V)
    115 nC
  • QG
    115 nC
  • RDS (on) max
    1.05 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1.05 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • バッテリー電圧
    24-36 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.59
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fused leads
推奨
OPN
ISC010N06NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
OptiMOS™ 5 power MOSFET 60 V in SuperSO8 package (ISC010N06NM5) offers low on-state resistance RDS(on) at 25˚C and 175˚C, and high continuous current (up to 330 A), enables higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.

機能

  • Lowest RDS(on) at 25˚C
  • Low RthJC
  • Low reverse recovery charge
  • Operating temperature rating to 175°C

利点

  • Reduced Losses, Enhanced Efficiency
  • Less parallel for system cost reduction
  • Reduced overshoot
  • Excellent thermal behavior

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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