IRS2118S
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IRS2118S

600 V single high-side gate driver IC with single input
データシート
パッケージ

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IRS2118S
IRS2118S
データシート

製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • 伝搬遅延オフ
    105 ns
  • 伝搬遅延オン
    125 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.6 A
  • 出力電流 (Source)
    0.29 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
推奨
OPN
IRS2118STRPBF
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
600 V High Side Driver IC with typical 0.29 A source and 0.6 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.

特長

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervoltage lockout
  • CMOS Schmitt-triggered inputs
  • Outputs out of phase with inputs (IRS2118)
  • Outputs in phase with inputs (IRS2117 and IRS21171 )

アプリケーション

図

Circuit_Diagramm_IRS2118
Circuit_Diagramm_IRS2118
Circuit_Diagramm_IRS2118 Circuit_Diagramm_IRS2118 Circuit_Diagramm_IRS2118
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ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ