IRHYS67230CM
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IRHYS67230CM

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IRHYS67230CM
IRHYS67230CM
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    10 A
  • ID (@25°C) (最大)
    16 A
  • QG
    42 nC
  • QPL型番
    2N7592T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    130 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The R6 N-channel MOSFET IRHYS67230CM is a radiation-hard, high-performance power device with a maximum voltage of 200V and a current capacity of 16A. With a low RDS(on) and low gate charge, this COTS MOSFET is ideal for use in switching applications such as DC-DC converters and motor control. The IR HiRel R6 technology provides proven performance and reliability in satellite applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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