IRHY55130CM

データシート

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IRHY55130CM
IRHY55130CM
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7484T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    85 mΩ
  • TID max
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製哝ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHY55130CM R5 N-channel MOSFET is a rad hard device with 100V and 18A capacity. Housed in a TO-257AA package, the electrical performance of this COTS device is up to 500krad(Si) TID. Low RDS(on) and gate charge reduce power losses resulting in high performance and reliability in space applications. Switching applications, such as DC-DC converters and motor control, benefit from low losses.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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