IRHNMC9A7120
新規設計非推奨

IRHNMC9A7120

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNMC9A7120
IRHNMC9A7120
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    14 A
  • ID (@25°C) (最大)
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL型番
    2N7651U8C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    55 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2C
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNMC9A7120 is a rad hard R9 N-channel MOSFET in a SMD-0.2C package. With a voltage rating of 100V and 23A current handling capabilities, this COTS MOSFET has electrical performance up to 100krad(Si) TID. Its low RDS(on) and fast switching times make it ideal for DC-DC converters and motor drives in space applications. IRHNMC9A7120 delivers superior SEE immunity with LET characterization up to 90 MeV·cm2/mg.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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