IRHNM9A7120
新規設計非推奨

IRHNM9A7120

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.

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IRHNM9A7120
IRHNM9A7120

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    14 A
  • ID (@25°C) (最大)
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL型番
    2N7651U8
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    55 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Rad hard R9 N-channel MOSFET IRHNM9A7120 comes in a hermetic SMD-0.2 package. With a voltage rating of 100V and a current rating of 23A, this single MOSFET is perfect for space applications. A COTS part, it has electrical performance up to 100krad(TID). The low RDS(on) and fast switching times reduce power losses and increase power density while retaining MOSFET benefits such as voltage control and fast switching.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ