IRHNM9A3120
新規設計非推奨

IRHNM9A3120

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNM9A3120
IRHNM9A3120
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    14 A
  • ID (@25°C) (最大)
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL型番
    2N7651U8
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    55 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNM9A3120 is a rad hard R9 N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package. With a voltage rating of 100V and a current rating of 23A, this single MOSFET is ideal for space applications. This COTS part has electrical performance up to 300krad(TID) and its low RDS(on) and fast switching times make it perfect for DC-DC converters and motor control. It retains all the benefits of MOSFETs while having improved SEE immunity.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ