IRHNJC9A7130
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IRHNJC9A7130
IRHNJC9A7130
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    22 A
  • ID (@25°C) (最大)
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL型番
    2N7648U3C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    34 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5C
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス (最大)
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The rad hard N-channel MOSFET IRHNJC9A7130 offers electrical performance up to 100krad(Si) TID. With a maximum rating of 100V and 22A, this MOSFET features low RDS(on) and faster switching times for increased power density in high-speed switching applications. The R9 superjunction technology delivers superior power MOSFET performance and reliability, making it an ideal choice for space DC-DC converters and motor controllers.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ