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IRHNJC9A7130

データシート
パッケージ

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IRHNJC9A7130
IRHNJC9A7130
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL型番
    2N7648U3C
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5C
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス max
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The rad hard N-channel MOSFET IRHNJC9A7130 offers electrical performance up to 100krad(Si) TID. With a maximum rating of 100V and 22A, this MOSFET features low RDS(on) and faster switching times for increased power density in high-speed switching applications. The R9 superjunction technology delivers superior power MOSFET performance and reliability, making it an ideal choice for space DC-DC converters and motor controllers.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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