IRHNA7360SE
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IRHNA7360SE
IRHNA7360SE

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    15 A
  • ID (@25°C) (最大)
    24 A
  • QG
    250 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    200 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • VF (最大)
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHNA7360SE rad hard MOSFET is a reliable N-channel MOSFET designed for space applications. With R4 technology, 400V and 15A capabilities, and a SMD-2 package, this COTS rated device features low RDS(on) and gate charge to reduce power losses in switching applications, and retains the standard advantages of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ