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IRHNA7360SE

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IRHNA7360SE
IRHNA7360SE
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    15 A
  • ID (@25°C) max
    24 A
  • QG
    250 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    200 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • VF max
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IRHNA7360SE rad hard MOSFET is a reliable N-channel MOSFET designed for space applications. With R4 technology, 400V and 15A capabilities, and a SMD-2 package, this COTS rated device features low RDS(on) and gate charge to reduce power losses in switching applications, and retains the standard advantages of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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