IRHMS57160
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IRHMS57160

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IRHMS57160
IRHMS57160
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7471T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    13 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHMS57160 R5 N-channel MOSFET is a highly reliable and efficient device designed for space applications. It offers a rad hard design, 60V voltage rating, 45A current rating, and low RDS(on) and gate charge for reduced power losses. Its electrical performance is up to 100krad(Si) TID, with COTS classification, making it ideal for DC-DC converters and motor controllers in space environments.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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