IRHLNMC77110SCS
新規設計非推奨

IRHLNMC77110SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
パッケージ

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IRHLNMC77110SCS
IRHLNMC77110SCS

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A per MIL-STD-750, Method 1020
  • Generation
    R7
  • ID (@25°C) (最大)
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • QPL型番
    JANSR2N7609U8
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    290 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHLNMC77110SCS R7 MOSFET is a radiation-hardened device with 100V, 6.5A rating. It's a single N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package with electrical performance up to 100krad(Si) TID. Ideal for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments, this COTS device maintains single event gate rupture and burnout immunity, while the threshold voltage remains within acceptable operating limits.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ