IRFS31N20D
販売終了
RoHS対応

IRFS31N20D

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFS31N20D
IRFS31N20D
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    31 A
  • Ptot (最大)
    200 W
  • Qgd
    33 nC
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    82 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.75 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRFS31N20DTRLP IRFS31N20DPBF
製品ステータス obsolete obsolete
インフィニオン パッケージ
D2PAK
D2PAK
パッケージ名 D2PAK D2PAK
梱包サイズ 800 1000
梱包形態 TAPE & REEL LEFT TUBE
MSL (湿度感受性レベル) N/A N/A
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 800
梱包形態 TAPE & REEL LEFT
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }