IRFS31N20D
販売終了
RoHS対応

IRFS31N20D

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
データシート
パッケージ
複数のOPNを利用可能

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IRFS31N20D
IRFS31N20D
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    31 A
  • Ptot (最大)
    200 W
  • Qgd
    33 nC
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    82 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.75 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRFS31N20DTRLP IRFS31N20DPBF
製品ステータス obsolete obsolete
インフィニオン パッケージ
D2PAK
D2PAK
パッケージ名 D2PAK D2PAK
梱包サイズ 800 1000
梱包形態 TAPE & REEL LEFT TUBE
MSL (湿度感受性レベル) N/A N/A
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes

製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 800
梱包形態 TAPE & REEL LEFT
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ