IRFS23N20D

IRFS23N20D

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
データシート

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IRFS23N20D
IRFS23N20D
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    24 A
  • Ptot (最大)
    170 W
  • Qgd
    27 nC
  • QG (typ @10V)
    57 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    100 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.9 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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