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IRFF9110

データシート
パッケージ

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IRFF9110
IRFF9110
データシート

Product details

  • ID (@100°C) max
    -1.6 A
  • ID (@25°C) max
    -2.5 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    1200 mΩ
  • VBRDSS min
    -100 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    P
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ坝 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル NA
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ坝 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル NA
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRFF9110 is a high reliability, -100V, single, P-channel MOSFET in a TO-205AF package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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